等离子体发射控制器RU-1000堀场HORIBA

等离子体发射控制器RU-1000堀场HORIBA

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等离子体发射控制器RU-1000，等离子体发光显示器EV-140C系列，EV2.0 HR，EV2.0 STD，EV2.0 LR

产品介绍

等离子体发射控制器RU-1000

触摸屏用薄膜和玻璃基板通过反应溅射法在基材上形成膜。反应溅射法是在真空中使溅射粒子与氧气或氮气发生化学反应从而形成膜的方法，但在反应气体的定量供应法中，膜的速度较慢，难以实用化。然而，反应模式和膜速度更快的金属模式之间存在不稳定的情况，已知通过控制等离子体发光强度可以保持膜速度变化大的过渡模式。

等离子体发射控制器 RU-1000 通过传感器捕捉等离子体发光强度，并通过算法向其高速响应质量流量控制器发出适当的反应性气体流量指示，从而实现接近金属模式的成膜速度的提高和稳定的成膜。

等离子体发光显示器EV-140C系列

利用等离子体的半导体薄膜工艺中，用于检测端点或进行等离子体条件管理的发光分析方式的端点监测器。

通过新开发的算法“Rupture Intensity"，可以准确地从微弱的信号变化中检测到端点。

为了捕捉微弱的发光变化，大幅改善了灵敏度。

另外，通过提高噪声耐性，确保在24小时运行的生产线的恶劣环境中稳定运行。

EV2.0 HR

在半导体制造过程中，从成膜和蚀刻开始，各种制造工艺中都使用了等离子体技术。

从过程终点检测、条件管理到等离子体诊断，这款等离子体发光监测器能够覆盖从研发到生产线的各种用途。

这次新开发的高分辨率、宽量程、小型的三款型号，可以根据用途选择最合适的规格。此外，专用的解析软件可以检测等离子体的微小信号变化，实现精密的终点检测和等离子体过程的异常监控，满足各种需求。